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Clase: Artigo de Evento
Título : Propriedades térmicas e ópticas de semicondutores
Autor(es): Anjos, VirgÍlio de Carvalho dos
Gonçalves, Alison Arantes
Lage, Christina de Oliveira
Resumo: Neste projeto calculamos espectros Raman em extrema ressonância de gases de elétrons de um sistema multi-periódico de GaAs dopado com Silício. Os espectros são obtidos com a polarização do laser incidente perpendicular à polarização da luz espalhada. A luz laser é sintonizada no gap de split-off do GaAs em geometria de retroespalhamento. A geometria escolhida juntamente com as regras de seleção para as polarizações caracterizam um mecanismo chamado de mecanismo de flutuações de densidade de spin, onde as flutuações de carga de spin alto se cancelam com as flutuações de carga de spin baixo resultando que campos macroscópicos coulombianos não são gerados. A estrutura eletrônica do sistema multicamada é calculada utilizando-se a aproximação de Thomas-Fermi juntamente com um método auto consistente baseado na Teoria do Funcional da Densidade.
Resumen : -
Palabras clave : -
CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA
Idioma: por
País: Brasil
Editorial : Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
Sigla de la Instituición: UFJF
Clase de Acesso: Acesso Aberto
URI : https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/9431
Fecha de publicación : 2008
Aparece en las colecciones: Seminário de Iniciação Científica



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