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dc.contributor.advisor1Anjos, Virgilio de Carvalho dos-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4782111Y6pt_BR
dc.contributor.referee1Makler, Sergio Saul-
dc.contributor.referee1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4783567D1pt_BR
dc.contributor.referee2Bell, Maria Jose Valenzuela-
dc.contributor.referee2Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4784941Y8pt_BR
dc.creatorGuarnieri, Leandro de Castro-
dc.creator.Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4732988D9pt_BR
dc.date.accessioned2017-08-07T21:08:56Z-
dc.date.available2017-06-28-
dc.date.available2017-08-07T21:08:56Z-
dc.date.issued2007-08-15-
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/5359-
dc.description.abstractIn this work we present calculations of eletronic Raman cross-sections of doped GaN based system via charge - density mechanism. The studied structures were δ-doped superlattices and uniform doped GaN systems. In the case of periodically doped superlattice the eletronic structure was obtained using Density Funcional Theory in the local density approximation. Concerning the uniform doped system, the nature of their Raman elementary excitations were investigated theoretically and experimentally. Such structures consisted of cubic GaN uniformly doped (type-n) grown on GaAs substrates.pt_BR
dc.description.resumoNeste trabalho apresentamos cálculos para o espalhamento Raman eletrônico via flutuação de densidade de carga para sistemas a base de GaN dopados. As estruturas estudadas foram a super-rede δ-dopada e os sistemas de GaN uniformemente dopados. No caso da super-rede periodicamente dopada, a estrutura eletrônica foi determinada utilizando-se a Teoria do Funcional Densidade na aproximação de densidade local. Para os sistemas uniformemente dopados, a natureza das excitações elementares Raman foi investigada teoricamente e experimentalmente, tais sistemas consistem de estruturas cúbicas de GaN uniformemente dopadas (tipo-n) crescidas sobre substratos de GaAs.pt_BR
dc.description.sponsorshipCAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superiorpt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentICE – Instituto de Ciências Exataspt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-graduação em Físicapt_BR
dc.publisher.initialsUFJFpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectEspalhamento Ramanpt_BR
dc.subjectGás de elétronspt_BR
dc.subjectExcitações coletivaspt_BR
dc.subjectGaNpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApt_BR
dc.titleEspalhamento Raman de sistemas a base de GaN dopadospt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
Appears in Collections:Mestrado em Física (Dissertações)



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