Please use this identifier to cite or link to this item: https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/14141
Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fabiocardosoofredimaia.pdfPDF/A3.91 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisor1Fragneaud, Benjamin-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/8874379724982439pt_BR
dc.contributor.advisor-co1Maciel, Indhira Oliveira-
dc.contributor.advisor-co1Latteshttp://lattes.cnpq.br/7161572341189052pt_BR
dc.contributor.referee1Oliveira, Victor Carôzo Gois de-
dc.contributor.referee1Latteshttp://lattes.cnpq.br/5726498090157951pt_BR
dc.contributor.referee2Quirino, Welber Gianini-
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/7927657074640167pt_BR
dc.creatorMaia, Fábio Cardoso Ofredi-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/2157355750596701pt_BR
dc.date.accessioned2022-06-01T14:02:51Z-
dc.date.available2022-06-01-
dc.date.available2022-06-01T14:02:51Z-
dc.date.issued2021-07-06-
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.34019/ufjf/di/2021/00455-
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/14141-
dc.description.abstractThis work aimed to study transition metal dichalcogenides. In the course of this activity it was possible to build the knowledge to synthesize MoSe2 by Chemical Vapor Deposition on Si/SiO2 substrate without pre-treatment. We were able to control the level of substrate coverage with MoSe2 crystals and also the size and shape of several crystallographic forms depending on the partial pressure of H2. We have also performed a study of punctual defects in triangular MoSe2 monolayers created by He focused ion beam, making possible to identify new defect related bands in the Raman spectrum of this material.pt_BR
dc.description.resumoEste trabalho teve por objetivo o estudo de dicalcogenetos de metais de transição. No decorrer desta atividade foi possível construir o saber para síntese do MoSe2 por Deposição Química a Vapor em substrato de Si/SiO2 sem pré-tratamento. Foi possível obter controle do nível de cobertura do substrato com cristais de MoSe2, além do tamanho e forma de diversas formas cristalográficas em função da pressão parcial de H2. Além disso, realizamos o estudo de defeitos pontuais criados em monocamadas triangulares de MoSe2 por feixe de íons de hélio, possibilitando a identificação de novas bandas de defeitos no espectro Raman desse material.pt_BR
dc.description.sponsorshipCAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superiorpt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentICE – Instituto de Ciências Exataspt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-graduação em Físicapt_BR
dc.publisher.initialsUFJFpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/*
dc.subjectFísica da matéria condensadapt_BR
dc.subjectNanociênciapt_BR
dc.subjectMateriais bidimensionaispt_BR
dc.subjectTMDSpt_BR
dc.subjectMoSe2pt_BR
dc.subjectCondensed matter physicspt_BR
dc.subjectNanosciencept_BR
dc.subjectTwo-dimensional materialspt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApt_BR
dc.titleSíntese por CVD do Disseleneto de Molibdênio (MoSe2) e quantificação de defeitos estruturais por espectroscopia Ramanpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
Appears in Collections:Mestrado em Física (Dissertações)

Show simple item record Recommend this item
Facebook Twitter LinkedIn Google+ Mendeley Whatsapp


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons