Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/9431
Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
Propriedades térmicas e ópticas de semicondutores.pdf55.35 kBAdobe PDFThumbnail
Visualizar/Abrir
Registro completo de metadados
Campo DCValorIdioma
dc.creatorAnjos, VirgÍlio de Carvalho dos-
dc.creatorGonçalves, Alison Arantes-
dc.creatorLage, Christina de Oliveira-
dc.date.accessioned2019-03-29T14:43:23Z-
dc.date.available2019-03-08-
dc.date.available2019-03-29T14:43:23Z-
dc.date.issued2008-
dc.citation.issueXIVpt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/9431-
dc.description.abstract-pt_BR
dc.description.resumoNeste projeto calculamos espectros Raman em extrema ressonância de gases de elétrons de um sistema multi-periódico de GaAs dopado com Silício. Os espectros são obtidos com a polarização do laser incidente perpendicular à polarização da luz espalhada. A luz laser é sintonizada no gap de split-off do GaAs em geometria de retroespalhamento. A geometria escolhida juntamente com as regras de seleção para as polarizações caracterizam um mecanismo chamado de mecanismo de flutuações de densidade de spin, onde as flutuações de carga de spin alto se cancelam com as flutuações de carga de spin baixo resultando que campos macroscópicos coulombianos não são gerados. A estrutura eletrônica do sistema multicamada é calculada utilizando-se a aproximação de Thomas-Fermi juntamente com um método auto consistente baseado na Teoria do Funcional da Densidade.pt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.initialsUFJFpt_BR
dc.relation.ispartofXIV Seminário de Iniciação Científica / IV Seminário de Iniciação Científica Jrpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subject-pt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRApt_BR
dc.titlePropriedades térmicas e ópticas de semicondutorespt_BR
dc.typeArtigo de Eventopt_BR
Aparece nas coleções:Seminário de Iniciação Científica



Os itens no repositório estão protegidos por licenças Creative Commons, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.