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dc.contributor.advisor1Fragneaud, Benjamin-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/8874379724982439pt_BR
dc.contributor.advisor-co1Maciel, Indhira Oliveira-
dc.contributor.advisor-co1Latteshttp://lattes.cnpq.br/7161572341189052pt_BR
dc.contributor.referee1Archanjo, Bráulio Soares-
dc.contributor.referee1Latteshttp://lattes.cnpq.br/5548512717869486pt_BR
dc.contributor.referee2Barcelos, Ingrid David-
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/8297155290206349pt_BR
dc.contributor.referee3Ludwig, Zélia Maria da Costa-
dc.contributor.referee3Latteshttp://lattes.cnpq.br/4112142504063586pt_BR
dc.creatorIldefonso, Letícia Mara Vieira-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/pt_BR
dc.date.accessioned2024-07-17T12:21:45Z-
dc.date.available2024-07-17-
dc.date.available2024-07-17T12:21:45Z-
dc.date.issued2023-02-24-
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/16841-
dc.description.abstractThe last few years, transition metal dichalcogenides (TMDs) have been widely studied due to their unusual optoelectronic properties. Recently, the study of defects in these materials allows the application in semiconductor devices, since defects can disturb the crystal lattice locally, leading to some kind of electronic band engineering. In this work, we synthesized monolayers of WS2 and WSe2 by chemical vapor deposition (CVD), and studied the sizes and shapes of these materials as a function of the amount of H2 present in the synthesis. We carried out a study of punctual defects in monolayers of WS2, by bombarding the crystals with a He focused ion beam. We verified the existence of some Raman bands and new electronic transitions, present in the photoluminescence spectra, activated by defects. The same punctual defect model that allows predicting the crystallinity of graphene and molybdenum TMD was employed to visualize when WS2 begins to become amorphous. Thus, this work enables the identification of defects in tungsten TMDs, which seems to be a promising material for the semiconductor industry.pt_BR
dc.description.resumoNos últimos anos, os dicalcogenetos de metais de transição (TMDs) têm sido vastamente estudados devido às suas surpreendentes propriedades optoeletrônicas. Recentemente, o estudo de defeitos nesses materiais possibilita a aplicação em dispositivos semicondutores, já que sítios de defeito perturbam a rede cristalina localmente, levando a uma espécie de engenharia de estrutura de banda. Neste trabalho, sintetizamos monocamadas de WS2 e WSe2 via deposição química a vapor (CVD), e estudamos os tamanhos e morfologias desses materiais em função da quantidade de H2 presente nas sínteses. Realizamos o estudo de defeitos pontuais em monocamadas de WS2, bombardeando os cristais por um feixe de íons de He. Verificamos a existência de algumas bandas Raman e novas transições eletrônicas, presentes nos espectros de fotoluminescência, ativadas por defeitos. O mesmo modelo de defeito pontual que permite prever o grau de cristalinidade do grafeno e TMD de molibdênio foi empregado para visualizar quando WS2 começa a se tornar amorfo. Assim, este trabalho possibilita a identificação de defeitos em TMDs de tungstênio, que é um material promissor a ser utilizado na indústria de semicondutores.pt_BR
dc.description.sponsorshipCAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superiorpt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentICE – Instituto de Ciências Exataspt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-graduação em Físicapt_BR
dc.publisher.initialsUFJFpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/*
dc.subjectMateriais 2Dpt_BR
dc.subjectDicalcogenetos de metais de transiçãopt_BR
dc.subjectEspectroscopia Ramanpt_BR
dc.subjectEspectroscopia de fotoluminescênciapt_BR
dc.subjectDefeitos estruturaispt_BR
dc.subjectTransition metal dichalcogenidespt_BR
dc.subjectRaman spectroscopypt_BR
dc.subjectStructural defectspt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRApt_BR
dc.titleSíntese por CVD de WS2 e WSe2 e quantificação de defeitos estruturais via Espectroscopias Raman e de Fotoluminescênciapt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
Appears in Collections:Mestrado em Física (Dissertações)



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