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dc.contributor.advisor1Legnani, Cristiano-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/1351665997987413pt_BR
dc.contributor.referee1Leite, Cristiano Fantini-
dc.contributor.referee1Latteshttp://lattes.cnpq.br/1966638146185479pt_BR
dc.contributor.referee2Costa, Marcelo Eduardo Huguenin Maia da-
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/2213216319318682pt_BR
dc.contributor.referee3Maciel, Indhira Oliveira-
dc.contributor.referee3Latteshttp://lattes.cnpq.br/7161572341189052pt_BR
dc.contributor.referee4Cuin, Alexandre-
dc.contributor.referee4Latteshttp://lattes.cnpq.br/6517745478286590pt_BR
dc.creatorSilva, Hálice de Oliveira Xavier-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/8558603146910769pt_BR
dc.date.accessioned2022-08-29T20:25:57Z-
dc.date.available2022-08-29-
dc.date.available2022-08-29T20:25:57Z-
dc.date.issued2019-08-16-
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/14376-
dc.description.abstractIn this work, graphene and amorphous carbon pure (𝑎-C) and doped with nitroge n (𝑎-CNx) thin films were grown, characterized and employed in the fabrication of optoelectronic devices. Thin Films of 𝑎-C and 𝑎-CNx were employed as electroluminescent layer in light- emitting devices. These films were grown employing the technique of RF Magnetron Sputtering in three series of depositions where were optimized the N 2 gas flow, the power of deposition and the films thickness. After the growth, this films were structura lly, compositionally and optically characterized employed the technical of X-ray diffract io n, X-ray photoelectron (XPS) and optical absorption spectroscopy in the UV-Vis region. The results obtained with these characterizations were related with the efficiency and luminescence of the light-emitting devices fabricated from these films that, for this purpose, were grown on ITO substrates, employed as anode, and below a film of aluminum of 120 nm, employed as cathode. The best device exhibited an electroluminescence spectrum that covers practically all the visible region, with a maximum luminescence of 206 cd/m2 at 9.86 V and current efficiency of 1.31x10-2 cd/A at 15.62x10-4 mA/cm2. These values are about three orders of magnitude greater than other similar devices found in literature. Graphene films were grown by CVD technical and employed as anode in the fabrication of OLEDs with the following architecture: Graphene/CuPc/𝛽-NPB/Alq3/ A l. The graphene films were electrically, optically and structurally characterized employed the technical of Hall effect, UV-Vis optical absorption spectroscopy and Raman spectroscopy, respectively. The graphene films exhibits sheet resistance of 500 Ω/square , high optical transmittance in the visible region of about 90% in 550 nm and high degree of crystallinity, besides great uniformity in large areas. The graphene OLED (G-OLED) turn on with an applied voltage of 2.75 V much earlier than reference OLED fabricated employed commercial ITO as anode, (I-OLED), that turn on with a voltage of 3.80 V. The I-OLED exhibited the maximum of current efficiency of 0.95 cd/A in a luminesce nce of 1400 cd/m2, much smaller than exhibited by G-OLED, that for the same luminesce nce exhibited a current efficie ncy of 9.67 cd/A, reaching a maximum of 19.26 cd/A in 6352 cd/m2. The power efficiency of G-OLED is one order of magnitude greater than I-OLEDof 4.9x10-2 lm/W in 0.27 cd/m2. Furthermore, the maximum of electroluminesce nce exhibited by G-OLED of 6351 cd/m2 in 11.20 V is higher than I-OLED of 5863 cd/m2 in 10.75 Vpt_BR
dc.description.resumoNeste trabalho, filmes finos de grafeno e de carbono amorfo puros (𝑎-C) e dopados com nitrogênio (𝑎-CNx) foram crescidos, caracterizados e utilizados na fabricação de dispositivos optoeletrônicos. Filmes finos de 𝑎-C e 𝑎-CNx foram utilizados como camada eletroluminesce nte em dispositivos emissores de luz. Estes filmes foram crescidos utilizando a técnica de RF magnetron sputtering em três séries de deposições onde foram otimizados o fluxo do gás de N2, a potência de deposição e a espessura dos filmes. Após o crescimento, estes filmes foram caracterizados estruturalmente, composicionalmente e opticamente utilizando as técnicas de difração de raios-X, espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X e espectroscopia de absorção óptica na região do UV-Vis. Os resultados obtidos com essas caracterizações foram relacionados com a eficiência e luminescência dos dispositivos emissores de luz fabricados a partir destes filmes que foram depositados sobre substratos de ITO, utilizados como ânodo, e sob um filme de alumínio de 120 nm, utilizado como cátodo. O melhor dispositivo exibiu um espectro de eletroluminescência que cobre praticamente toda a região do visível, com uma máxima luminescência de 206 cd/m2 em 9,86 V e eficiência de corrente de 1,31x10-2 cd/A em 15,62x10-4 mA/cm2. Estes valores são aproximadamente três ordens de grandeza maiores do que outros dispositivos similares encontrados na literatura. Os filmes de grafeno foram crescidos pela técnica CVD e foram utilizados como ânodo na fabricação de OLEDs com a seguinte arquitetura: Grafeno/CuP c/ 𝛽- NPB/Alq3/Al. Os filmes de grafeno foram caracterizados eletricamente, opticamente e estruturalmente utilizando as técnicas de efeito Hall, espectroscopia de absorção óptica UV-Vis e espectroscopia Raman. Os filmes de grafeno exibiram resistência de folha de 500 Ω/quadrado, alta transmitância óptica na região do visível de aproximadamente 90% em 550 nm e alto grau de cristalinidade, além de grande uniformidade em grandes áreas. O OLED de grafeno (G-OLED) acendeu com uma voltagem aplicada de 2,75 V, muito antes do OLED de referência fabricado utilizando ITO comercial como ânodo, (I-OLED), que acendeu com uma voltagem de 3,80 V. O I-OLED exibiu um máximo de eficiê nc ia de corrente de 0,95 cd/A em uma luminescência de 1.400 cd/m2, muito menor do que a exibida pelo G-OLED, que para essa mesma luminescência apresentou uma eficiência de corrente de 9,67 cd/A atingindo um máximo de 19,26 cd/A em 6.352 cd/m2. A eficiê nc ia de potência do G-OLED é uma ordem de grandeza maior do que a do I-OLED, sendo a máxima atingida pelo G-OLED de 5,6x10-1 lm/W em 254 cd/m2 e pelo I-OLED de 4,9x10-2 lm/W em 0,27 cd/m2. Além disso, a eletroluminescência máxima atingida pelo G-OLED, de 6.351 cd/m2 em 11,20 V, é maior do que a exibida pelo I-OLED, de 5.863 cd/m2 em 10,75 Vpt_BR
dc.description.sponsorshipCAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superiorpt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentICE – Instituto de Ciências Exataspt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-graduação em Físicapt_BR
dc.publisher.initialsUFJFpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/*
dc.subjectGrafenopt_BR
dc.subjectCarbono amorfopt_BR
dc.subjectDispositivos optoeletrônicospt_BR
dc.subjectSputteringpt_BR
dc.subjectCVDpt_BR
dc.subjectNanotecnologiapt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApt_BR
dc.titleNanoestruturas de carbono: sínteses, caracterizações e aplicações em dispositivos optoeletrônicospt_BR
dc.typeTesept_BR
Appears in Collections:Doutorado em Física (Teses)



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